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導(dǎo)熱納米氧化鋁在導(dǎo)熱復(fù)合材料中優(yōu)勢(shì)明顯

   2024-05-10 137
核心提示:導(dǎo)熱納米氧化鋁在導(dǎo)熱復(fù)合材料中優(yōu)勢(shì)明顯 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電子、航天航空,特別是通訊技術(shù)的飛速發(fā)展,電子元器件由分

導(dǎo)熱納米氧化鋁在導(dǎo)熱復(fù)合材料中優(yōu)勢(shì)明顯

    隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電子、航天航空,特別是通訊技術(shù)的飛速發(fā)展,電子元器件由分立元件不斷向大功率、集成化和模塊化發(fā)展,因此運(yùn)行過(guò)程中必然會(huì)產(chǎn)生更多的熱量同時(shí)由于使用場(chǎng)合和工況的更加復(fù)雜化,對(duì)材料的導(dǎo)熱性能要求也越來(lái)越高。傳統(tǒng)的金屬導(dǎo)熱雖然導(dǎo)熱率高,但有其致命的缺點(diǎn)即絕緣性差,高分子復(fù)合材料可以克服上述缺點(diǎn)并在各種工業(yè)導(dǎo)熱場(chǎng)合得到廣泛應(yīng)用。

導(dǎo)熱復(fù)合材料是由有機(jī)、高分子材料(本體導(dǎo)熱材料)添加高導(dǎo)熱填料制備而成,由于有機(jī)高分子材料導(dǎo)熱率較低且改進(jìn)提高非常困難,因此選擇高導(dǎo)熱率的填料對(duì)有機(jī)高分子材料進(jìn)行填充制備復(fù)合導(dǎo)熱材料。

 

導(dǎo)熱絕緣復(fù)合材料,

采用直接分散法制備不同含量的導(dǎo)熱氧化鋁VK-L04R/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料,實(shí)驗(yàn)表明:隨著Al2O3(導(dǎo)熱氧化鋁VK-L04R含量的增加,復(fù)合材料常態(tài)下的體積電阻率先增大后減小。當(dāng)Al2O3(導(dǎo)熱氧化鋁VK-L04R含量為2.5%時(shí),復(fù)合材料的體積電阻率達(dá)到大值,是純環(huán)氧樹(shù)脂的3.5倍。加入一定量的納米Al2O3(導(dǎo)熱氧化鋁VK-L04R可以有效改善水對(duì)環(huán)氧體系電絕緣性的影響。復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)隨著Al2O3(導(dǎo)熱氧化鋁VK-L04R含量的增加而增大,Al2O3含量大于10%,Al2O3/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)增大明顯。當(dāng)納米Al2O3含量不大于10%(wt)時(shí),復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)的實(shí)驗(yàn)值與Bruggeman模型的理論值基本一致。當(dāng)Al2O3含量增大到15%時(shí),復(fù)合材料體系中的填料形成了一定的導(dǎo)熱網(wǎng)鏈,復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)大于理論值。

 

導(dǎo)熱納米氧化鋁VK-L04R是一種常用的復(fù)合導(dǎo)熱材料的填料其粒徑分布窄、偶聯(lián)改性合理,故可對(duì)高分子復(fù)合材料進(jìn)行實(shí)施高濃度填充,可得 到低粘度流動(dòng)性較好的混合物,且不影響硫化,高熱傳導(dǎo)率等。 本產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種復(fù)合材料、灌封膠,環(huán)氧樹(shù)脂,塑料、橡膠、尼龍、散熱陶瓷等。

 

導(dǎo)熱納米氧化鋁VK-L04R技術(shù)指標(biāo):

項(xiàng)目

質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)

 號(hào)

VK-L04R

  

白色粉末

顆粒形狀

球型

純度 ≥

99.99

粒徑

300-500nm

   

晶瑞新材料 甘生18620162680微。


 
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