圖：探測器的分類

光電二極管(PIN)也稱PIN結(jié)二極管,在光電二極管的PN結(jié)中間摻入一層濃度很低的I型半導(dǎo)體,就可以增大耗盡區(qū)的寬度,達(dá)到減小擴(kuò)散運(yùn)動的影響,提高響應(yīng)速度的目的。由于這一摻入層的摻雜濃度低,近乎本征(Intrinsic)半導(dǎo)體,故稱l層,因此這種結(jié)構(gòu)成為PIN光電二極管;

雪崩光電二極管(APD)是一種具有內(nèi)部增益的光電二極管,其原理類似于光電倍增管。在加上一個較高的反向偏置電壓后(在硅材料中一般為100-200V),利用電離碰撞(雪崩擊穿)效應(yīng),可在APD中獲得一個大約100的內(nèi)部電流增益;

單光子雪崩二極管(SPAD)是一種具有單光子探測能力的光電探測雪崩二極管,工作在蓋革模式下的APD(Avalanche  Photon Diode)。應(yīng)用于拉曼光譜、正電子發(fā)射斷層掃描和熒光壽命成像等領(lǐng)域;

 硅光電倍增管(SiPM)是一種由工作于雪崩擊穿電壓之上和具有雪崩猝滅機(jī)制的雪崩光電二極管陣列并聯(lián)構(gòu)成的,具有較好的光子數(shù)分辨和單光子探測靈敏度的硅基弱光探測器,具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對磁場不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)。

圖：光電二極管(PIN)、雪崩光電二極管(APD)、單光子雪崩二極管(SPAD)、硅光電倍增管(SiPM/MPPC)

PIN光電二極管沒有倍增效果,常常應(yīng)用在短距離的探測領(lǐng)域。APD雪崩光電二極管技術(shù)較為成熟,是使用Z為廣泛的光電探測器件。目前APD的典型增益是10-100倍,在進(jìn)行遠(yuǎn)距離測試時需大幅提高光源光強(qiáng)才能確保APD有信號。SPAD單光子雪崩二極管和SiPM/MPPC硅光電倍增管主要是為了解決增益能力和大尺寸陣列的實(shí)現(xiàn)而存在:

1)SPAD或者SiPM/MPPC是工作在蓋革模式下的APD，可以獲得幾十倍到幾千倍的增益,但系統(tǒng)成本與電路成本均較高;

2)SiPM/MPPC是多個SPAD的陣列形式,可通過多個SPAD獲得更高的可探測范圍以及配合陣列光源使用,更容易集成CMOS技術(shù),具備規(guī)模量產(chǎn)的成本優(yōu)勢。此外,由于SiPM工作電壓大多低于30V,不需要高壓系統(tǒng),易于與主流電子系統(tǒng)集成,內(nèi)部的增益也使SiPM對后端讀出電路的要求更簡單。目前,SiPM廣泛應(yīng)用于yi療儀器、激光探測與測量(LiDAR)、精密分析、輻射監(jiān)測、安全檢測等領(lǐng)域,隨著SiPM的不斷發(fā)展將拓展至更多的領(lǐng)域。

表：SiPM/MPPC、SPAD、APD、PIN-PD探測器參數(shù)對比

光電探測器光電測試

   光電探測器一般需要先對晶圓進(jìn)行測試,封裝后再對器件進(jìn)行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時,需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電容、響應(yīng)度、串?dāng)_等參數(shù)。  

利用數(shù)字源表進(jìn)行光電探測器光電性能表征

   實(shí)施光電性能參數(shù)表征分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的電壓源或電流源,可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號,還可以當(dāng)作表,進(jìn)行電壓或者電流測量;支持Trig觸發(fā),可實(shí)現(xiàn)多臺儀表聯(lián)動工作;針對光電探測器單個樣品測試以及多樣品驗(yàn)證測試,可直接通過單臺數(shù)字源表、多臺數(shù)字源表或插卡式源表搭建完整的測試方案。光電探測器電性能測試精密電流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；

普賽斯數(shù)字源表搭建光電探測器光電測試方案

暗電流

   暗電流是PIN /APD管在沒有光照的情況下,增加一定反置偏壓形成的電流;它的本質(zhì)是由PIN/APD本身的結(jié)構(gòu)屬性產(chǎn)生的,其大小通常為微安以下。測試時推薦使用普賽斯S系列或P系列源表,S系列源表Z小電流100pA,P系列源表Z小電流10pA。

反向擊穿電壓

    外加反向電壓超過某一數(shù)值時,反向電流會突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。根據(jù)器件的規(guī)格不同,其耐壓指標(biāo)也不一致,測試所需的儀表也不同,擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺式源表或P系列脈沖源表,其Z大電壓300v,擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列,Z大電壓3500V。

C-V測試

  結(jié)電容是光電二極管的一個重要性質(zhì),對光電二極管的帶寬和響應(yīng)有很大影響。光電傳感器需要注意的是,PN結(jié)面積大的二極管結(jié)體積也越大,也擁有較大的充電電容。在反向偏壓應(yīng)用中,結(jié)的耗盡區(qū)寬度增加，會有效地減小結(jié)電容,增大響應(yīng)速度;光電二極管C-V測試方案由S系列源表、LCR、測試夾具盒以及上位機(jī)軟件組成。

響應(yīng)度

  光電二極管的響應(yīng)度定義為在規(guī)定波長和反向偏壓下,產(chǎn)生的光電流(IP)和入射光功率(Pin)之比,單位通常為A/W。響應(yīng)度與量子效率的大小有關(guān),為量子效率的外在體現(xiàn),響應(yīng)度R=lP/Pino測試時推薦使用普賽斯S系列或P系列源表,S系列源表Z小電流100pA,P系列源表Z小電流10pA。

光串?dāng)_測試(Crosstalk)

   在激光雷達(dá)領(lǐng)域,不同線數(shù)的激光雷達(dá)產(chǎn)品所使用的光電探測器數(shù)量不同,各光電探測器之間的間隔也非常小,在使用過程中多個感光器件同時工作時就會存在相互的光串?dāng)_,而光串?dāng)_的存在會嚴(yán)重影響激光雷達(dá)的性能。

   光串?dāng)_有兩種形式:一種在陣列的光電探測器上方以較大角度入射的光在被該光電探測器玩全吸收前進(jìn)入相鄰的光電探測器并被吸收;二是大角度入射光有一部分沒有入射到感光區(qū),而是入射到光電探測器間的互聯(lián)層并經(jīng)反射進(jìn)入相鄰器件的感光區(qū)。

 圖：串?dāng)_產(chǎn)生機(jī)理示意圖

   陣列探測器光串?dāng)_測試主要是進(jìn)行陣列直流串?dāng)_測試,是指在規(guī)定的反向偏壓、波長和光功率下,陣列二極管中光照單元的光電流與任意一個相鄰單元光電流之比的Z大值。測試時推薦使用普賽斯S系列、P系列或者CS系列多通道測試方案。

    光電探測器電性能測試精密電流源認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；武漢普賽斯一直專注于半導(dǎo)體的電性能測試儀表開發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,帥先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖源表、集成插卡式源表等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體器件材料的分析測試領(lǐng)域。能夠根據(jù)用戶的需求搭配出Z高效、Z具性價比的半導(dǎo)體測試方案。