碳化硅GaN-on-SiC氮化鎵外延片生產(chǎn)廠家 RF HEMT

蘇州恒邁瑞供應(yīng)RF HEMT應(yīng)用碳化硅射頻高電子遷移管GaN 氮化鎵外延片，尺寸涵蓋4英寸及6英寸，SiC碳化硅與GaN氮化鎵由于晶格失配較小，導(dǎo)電、熱導(dǎo)率高，是主流的GaN外延生長襯底之一。其中，導(dǎo)電型SiC襯底主要用于外延GaN基LED等光電子器件、SiC基電力電子器件，半絕緣型SiC襯底主要用于外延制造GaN高功率射頻器件，比如5G基站中的PA、雷達(dá)等。

GaN材料特性上，其承受的電壓和功率密度會(huì)比SiC低一點(diǎn)，但GaN器件可以擁有接近于0的關(guān)斷時(shí)間，也就是可以工作在比SiC器件更高的開關(guān)頻率上。GaN氮化鎵 分別在射頻領(lǐng)域比如高電子遷移率晶體管（HEMT）和單片微波集成電路（MMIC），以及功率半導(dǎo)體領(lǐng)域起到了重要作用。