產(chǎn)品特點(diǎn)

　　1.分散性好。

　　2.粒徑分布廣泛:10nm。

　　3.高純度，有效減小對(duì)電子類產(chǎn)品的沾污

　　4.適合與各種拋光墊、合成材料配合拋光使用。

　　5.PH、粒徑、穩(wěn)定離子等可以根據(jù)客戶定制。

　　6.經(jīng)特殊工藝合成的化學(xué)機(jī)械拋光液，納米顆粒呈球形，單分散，大小均勻，粒徑分布窄，可獲得高質(zhì)量的

　　拋光精度

　　拋光過(guò)程中具有:

　　1.高拋光速率，利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達(dá)到高速拋光的目的。

　　2.高平坦度加工，本品拋光是利用SiO2的膠體粒子，不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷，達(dá)到高平坦化加工.

　　拋光過(guò)程后具有:

　　1.精度可以達(dá)到納米級(jí)

　　2.劃傷和挖傷可以達(dá)到0/0。

　　適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型叫陷可調(diào)

　　低缺陷等特性。可應(yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面

　　的拋光顆粒和化學(xué)物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。

　　以及用于單晶硅、多晶硅的研磨拋光，存儲(chǔ)器制程和背照式傳感器(BSI)制程等?？啥ㄖ七x擇穩(wěn)定的選擇

　　比，去除速率，對(duì)氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點(diǎn)。BSI拋光液系列具有理想的

　　硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層S，TSV晶背銅/介質(zhì)層拋、TSV晶背硅

　　、TSV晶背硅/銅等。具有高去除速率、選擇比可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。

　　以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等

　　使用方法

　　使用方法:

　　1.使用前清理瓶口，以防污染發(fā)生。

　　2.使用時(shí)，根據(jù)不同行業(yè)的需要可用去離子水加以稀釋，調(diào)制不同濃度

　　3.現(xiàn)場(chǎng)需保持清潔無(wú)揚(yáng)塵，防止受到拋光液配制和使用過(guò)程遭到污染。

　　4.循環(huán)使用粘度增大時(shí),應(yīng)予以重新配制新的拋光液，以免損傷工件，降低良率

　　儲(chǔ)存方法:

　　1.保持室內(nèi)陰涼

　　2.避免敞口長(zhǎng)期與空氣接觸。

　　3.貯存時(shí)應(yīng)避免曝曬，貯存溫度為5-35C

　　4.低于0°C以上儲(chǔ)存，防止結(jié)冰，在零度以下因產(chǎn)生不可再分散結(jié)塊而失效

　　價(jià)格實(shí)惠:

　　引進(jìn)國(guó)外生產(chǎn)技術(shù)，品質(zhì)可以媲美進(jìn)口的產(chǎn)品,有效的避免了進(jìn)口產(chǎn)品其交貨周期長(zhǎng)，價(jià)格

　　昂貴。